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1.什么是P型半导体？什么是N型半导体？
在半导体硅中掺入微量的三价元素硼，因硼最外层的电子只有3个，因此它们排列在晶格中，使晶格间的联系缺少一个电子，很容易提供空穴。邻近晶格的电子移到此处填补，就又形成新的空穴。西安仪器仪表电子的不断填补，形成空穴的不断迁移。通电后，空穴在电场作用下作定向运动，会形成空穴电流。将以空穴导电为主的半导体称为P型半导体。如果在硅中掺入微量的五价元素锑，它们排列在晶格中就形成多余的电子，电子在电场作用下作定向运动，会形成电子电流。以电子导电为主的半导体，称为N型半导体。
2.什么是PN结？它的阻挡层是怎样形成的？
当P型与N型半导体结合在一起时，因P区的空穴浓度远大于N区中的空穴浓度，于是，它就向空穴少的N区扩散，并与其中的电子相复合。同样，因N区的电子浓度远大于P区中的电子浓度，它要向电子少的P区扩散，并与其中的空穴相复合。结果在P区中靠近交界面的一边出现一薄层不能移动的负电荷，在N区中靠近交界面的一边出现一薄层不能移动的正电荷。这种在两种不同类型半导体的交界面处形成的空间电荷区就是PN结。
空间电荷区会产生一个内电场，其方向由N区指向P区，它对空穴和电子的继续扩散起阻碍作用，西安仪器仪表故也将这个空间电荷区称为阻挡层。
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